Gerüsterweiterung eines Silicoids um ein einzelnes Germaniumatom über isolierte Zwischenprodukte. (8th June 2022) - Poitiers, Nadine E.
Abstract: Das Wachstum von (Halb‐)Metallclustern ist entscheidend für Keimbildungsprozesse in gasförmigen und kondensierten Phasen. Wir berichten nun über die Isolierung von Zwischenprodukten während der Erweiterung eines stabilen, ungesättigten Siliciumclusters (Silicoid) um ein einzelnes Germaniumatom durch eine Abfolge von Substitution, Umlagerung und Reduktion. Die Reaktion von ligato ‐lithiiertem Hexasilabenzpolaren LiSi6 Tip5 (Li⋅(thf)2, Tip=2, 4, 6‐Triisopropylphenyl) mit GeCl2 ⋅NHC (NHC=1, 3‐Diisopropyl‐4, 5‐dimethylimidazol‐2‐yliden) liefert zunächst das Produkt mit exohedraler Germanium(II)‐Funktionalität, die dann in eine Si−Si Bindung des Si6 ‐Gerüsts insertiert. Die gleichzeitige Übertragung der Chlorfunktionalität von Germanium auf ein benachbartes Siliciumatom bewahrt die elektronenpräzise Natur des gebildeten endohedralen Germylens. Der vollständige Einbau des Germaniumheteroatoms in den Si6 Ge‐Clusterkern wird schließlich entweder durch Reduktion unter Verlust des koordinierenden NHC oder direkt durch Reaktion von 1 Li⋅(thf)2 mit GeCl2 ⋅1, 4‐Dioxan erreicht. Abstract : Die Erweiterung des Clusterkerns eines Si6 Silicoids um ein einzelnes Germaniumatom gelingt leicht durch die Reaktion eines monolithierten Si6 Silicoids mit basenstabilisierten Ge II ‐Chloriden. Abhängig von der stabilisierenden Base (1, 4‐Dioxan oder ein NHC) werden isolierte Zwischenprodukte des Erweiterungsprozesses in Richtung des vermeintlichen globalen Si6 GeR6 Minimums erhalten und vollständig charakterisiert (=Silicium).