Das Wachstum von Nickelclustern an Graphen‐Fehlstellen: eine theoretische Studie1. (8th November 2013)

• Record Type: Journal Article
• Authors: Gao, Wang; Mueller, Jonathan E.; Anton, Josef; Jiang, Qing; Jacob, Timo
• Is Part Of: Angewandte Chemie. Volume 125:Number 52(2013)
• Page Start: 14487
• Page End: 14491
• Publication Date: 2013-11-08
• Subjects: Chemistry -- Periodicals; 540
• DOI: 10.1002/ange.201305001
• Languages: German
• ISSNs: 0044-8249

Abstract

<abstract abstract-type="graphical" xml:lang="de"> <title> <x xml:space="preserve">Abstract</x> </title> <p> <bold>Defekt mit Vorteilen</bold>: Nickelcluster auf verschiedenen Graphensubstraten wurde mit DFT‐Rechnungen untersucht. Es zeigt sich, dass Leerstellen die Morphologie der Ni‐Nanopartikel bestimmen und die katalytische Aktivität größerer Cluster (Ni_{<italic>n</italic>} mit 5≤<italic>n</italic>≤10) erhöhen. Kleinere Cluster (<italic>n</italic>&lt;4) bieten durch eine effiziente Verbreiterung der Graphen‐Bandlücke eine Möglichkeit, die elektrischen Eigenschaften zu modulieren.<boxed-text content-type="graphic" position="anchor" orientation="portrait"><graphic position="anchor" mimetype="image" xlink:href="ark:/27927/pgg4t3dtcx8" orientation="portrait" xlink:type="simple" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" /></boxed-text></p> </abstract>