Photonik der Solarzellen II : Solarzellen mit schwefelhaltigen Absorberschichten /: Solarzellen mit schwefelhaltigen Absorberschichten. ([2018])
- Record Type:
- Book
- Title:
- Photonik der Solarzellen II : Solarzellen mit schwefelhaltigen Absorberschichten /: Solarzellen mit schwefelhaltigen Absorberschichten. ([2018])
- Main Title:
- Photonik der Solarzellen II : Solarzellen mit schwefelhaltigen Absorberschichten
- Further Information:
- Note: Andreas Stadler.
- Authors:
- Stadler, Andreas
- Contents:
- Intro; Vorwort; Inhaltsverzeichnis; 1: Übersicht zu den Experimenten; 1.1 CI(G)S-Technologie und Sulfosalze; 1.2 Auswahl der Materialien, Produktionsverfahren und Analysemethoden; 1.3 Untersuchte Materialsysteme; Literatur; 2: Transparente, isolierende und leitende Materialien; 2.1 Glas- und Bor-Silikat-Glas (BSG) Substrate; 2.2 Transparente, leitende Oxide (TCO); 2.2.1 Ergänzendes zu aluminiumdotierten Zinkoxidschichten (ZnO:Al); 2.2.2 Indium-Zinn-Oxid (ITO); 2.3 Weiterführende Literatur; Literatur; 3: Opake, absorbierende Sulfide (Absorber); 3.1 Bismutsulfid BixSy 3.1.1 Variation des Abstandes r vom Depositionszentrum3.1.2 Variation der Substrat-Temperatur während des Sputterns; 3.1.3 Annealing in Schwefelatmosphäre bei unterschiedlichen Temperaturen; 3.2 Antimonsulfid SbxSy; 3.2.1 PDC-gesputtertes Sb2S3; 3.2.2 RF-gesputtertes Sb2S3; 3.3 Das ternäre System SnxBiySz - gebildet aus SnS und Bi2S3; 3.3.1 Schichten aus homogenen SnxBiySz-Targets; 3.3.1.1 Temperaturabhängigkeit beim Hochfrequenzsputtern (RF-Sputtern); 3.3.1.2 Temperaturabhängigkeit beim gepulsten Gleichstromsputtern; 3.3.1.3 Abhängigkeit von Sputterleistung, Pausendauer und Druck 3.3.2 Schichten, hergestellt mit SnxBiySz-Gradienten-Targets3.3.2.1 Gesputtert bei Raumtemperatur; 3.3.2.2 Gesputtert bei T = 100 °C; 3.3.2.3 Gesputtert bei T = 200 °C; 3.3.2.4 Gesputtert bei T = 300 °C; 3.3.2.5 Gesputtert bei T = 350 °C; 3.3.2.6 Gesputtert bei T = 400 °C; 3.3.3 Solarzellen mit SnS/Bi2S3-Gradienten-Absorberschichten;Intro; Vorwort; Inhaltsverzeichnis; 1: Übersicht zu den Experimenten; 1.1 CI(G)S-Technologie und Sulfosalze; 1.2 Auswahl der Materialien, Produktionsverfahren und Analysemethoden; 1.3 Untersuchte Materialsysteme; Literatur; 2: Transparente, isolierende und leitende Materialien; 2.1 Glas- und Bor-Silikat-Glas (BSG) Substrate; 2.2 Transparente, leitende Oxide (TCO); 2.2.1 Ergänzendes zu aluminiumdotierten Zinkoxidschichten (ZnO:Al); 2.2.2 Indium-Zinn-Oxid (ITO); 2.3 Weiterführende Literatur; Literatur; 3: Opake, absorbierende Sulfide (Absorber); 3.1 Bismutsulfid BixSy 3.1.1 Variation des Abstandes r vom Depositionszentrum3.1.2 Variation der Substrat-Temperatur während des Sputterns; 3.1.3 Annealing in Schwefelatmosphäre bei unterschiedlichen Temperaturen; 3.2 Antimonsulfid SbxSy; 3.2.1 PDC-gesputtertes Sb2S3; 3.2.2 RF-gesputtertes Sb2S3; 3.3 Das ternäre System SnxBiySz - gebildet aus SnS und Bi2S3; 3.3.1 Schichten aus homogenen SnxBiySz-Targets; 3.3.1.1 Temperaturabhängigkeit beim Hochfrequenzsputtern (RF-Sputtern); 3.3.1.2 Temperaturabhängigkeit beim gepulsten Gleichstromsputtern; 3.3.1.3 Abhängigkeit von Sputterleistung, Pausendauer und Druck 3.3.2 Schichten, hergestellt mit SnxBiySz-Gradienten-Targets3.3.2.1 Gesputtert bei Raumtemperatur; 3.3.2.2 Gesputtert bei T = 100 °C; 3.3.2.3 Gesputtert bei T = 200 °C; 3.3.2.4 Gesputtert bei T = 300 °C; 3.3.2.5 Gesputtert bei T = 350 °C; 3.3.2.6 Gesputtert bei T = 400 °C; 3.3.3 Solarzellen mit SnS/Bi2S3-Gradienten-Absorberschichten; 3.4 Das ternäre System SnxSbySz; 3.4.1 Schichten, gesputtert mit homogenen SnxSbySz-Targets; 3.4.1.1 Sputterleistung; 3.4.1.2 Frequenz; 3.4.2 RF-gesputtertes Sb2S3 nach PDC-gesputtertem SnS; 3.5 Das quaternäre System CuwSnxSbySz 3.5.1 Homogene CuwSnxSbySz-Absorberschichten3.5.1.1 Temperatur; 3.5.1.2 Druck; 3.5.1.3 Frequenz; 3.5.2 SnS/CuwSbySz-Gradienten-Absorberschichten; 3.5.2.1 Temperatur; 3.5.2.2 Tempern in Schwefelatmosphäre; 3.5.3 SnS/CuwSbySz-Doppel-Gradienten-Absorberschichten; 3.5.4 Exkurs: Standard-Solarzellen (mit CuwSnxSbySz-Absorberschichten); 3.5.4.1 Molybdän Grundkontakt; 3.5.4.2 CuwSnxSbySz-Absorberschichten; 3.5.4.3 CdS-Pufferschichten und Zwischenschichten (optional); 3.5.4.4 ZnO:Al TCO-Schichten; 3.5.5 Solarzellen mit SnS/CuwSbySz-Gradienten-Absorberschichten 3.5.5.1 Das Messobjekt: Probengeometrie und -beschaffenheit3.5.5.2 Das Messgerät (Lichtquelle): Sonne und künstliche Lichtquelle; 3.5.5.3 Abhängigkeiten von der Prozesstemperatur; 3.5.5.4 Solarzellen mit doppelter Gradientenschicht; 3.5.5.5 Variation der Abkühldauer; 3.5.5.6 Thermische Nachbehandlung in inerter Argon Atmosphäre; 3.5.5.7 Sauerstoff - In situ und mit Vakuumbruch hergestellte Solarzellen; 3.5.5.8 CdS-Pufferschichten und i-ZnO:Al- bzw. Bi2S3-Zwischenschichten; 3.5.5.9 TCO-Schichten: Vergleich von ZnO:Al und ITO; 3.6 Das quaternäre Materialsystem CuwPbxBiySz … (more)
- Publisher Details:
- Wiesbaden, Germany : Springer Vieweg
- Publication Date:
- 2018
- Extent:
- 1 online resource
- Subjects:
- 621.31244
Engineering
Photonics
Photovoltaic power generation
Solar cells
TECHNOLOGY & ENGINEERING / Mechanical
Technology & Engineering -- Material Science
Technology & Engineering -- Power Resources -- General
Science -- Energy
Technology & Engineering -- Lasers & Photonics
Electronic devices & materials
Energy technology & engineering
Alternative & renewable energy sources & technology
Laser technology & holography
Electric engineering
Optical materials
Renewable energy sources
Electronic books - Languages:
- German
- ISBNs:
- 9783658230265
3658230266 - Related ISBNs:
- 9783658230258
- Notes:
- Note: Includes bibliographical references.
Note: Online resource; title from PDF title page (EBSCO, viewed September 7, 2018). - Access Rights:
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